Ανάπτυξη μικρομετρικών τρανζίστορ εγκάρσιου πεδίου από καρβίδιο του πυριτίου (SiC)

Περίληψη

Η προσομοίωση με τη μέθοδο πεπερασμένων στοιχείων έχει αναδειχθεί σε κύριο και σημαντικό εργαλείο που μπορεί να εξηγήσει τη φυσική συμπεριφορά ηλεκτρονικών διατάξεων. Λαμβάνοντας υπ’όψιν δεδομένα από κατασκευασμένες διατάξεις και με μια διαδικασία ανάδρασης μεταξύ των αποτελεσμάτων και των μετρήσεων, μπορεί κανείς να εξηγήσει τη λειτουργία της διάταξης. Παρότι αυτό έχει επιτευχθεί σε άριστο βαθμό σε ηλεκτρονικές διατάξεις πυριτίου, δεν συμβαίνει το ίδιο με το καρβίδιο του πυριτίου. Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC - silicon carbide) χρησιμοποιείται εκτενώς την τελευταία δεκαετία, τόσο τα σχετικά μοντέλα φυσικής όσο και οι παράμετροί τους, επιδέχονται πολλές βελτιώσεις, μια και υπάρχουν αρκετές ασάφειες – αβεβαιότητες που η αδυναμία τους φαίνεται εύκολα στον προσομοιωτή. Σκοπός της εργασίας αυτής είναι η καθιέρωση ρητής διαδικασίας για την επίτευξη αξιόπιστων αποτελεσμάτων προσομοίωσης με TCAD εργαλεία. Μελετήθηκαν οι φυσικοί παράμετροι και ιδιότητες του 4H-SiC, αναλύθηκαν διαθέσιμα μοντέλ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

Simulation with a finite element method has become a major and important tool that can explain the physical behavior of electronic devices. Data from constructed devices are taken as input and with a feedback process between the results and the measurements; one can explain the operation of the device. This has been achieved to an excellent degree in silicon electronics, since silicon is the most well known semiconductor material, but not in Silicon carbide. Silicon carbide (SiC) has been extensively used only recently and both the physical models and their parameters are susceptible to many improvements, since there are several ambiguities – uncertainties which are observed during simulation. Many publications contain simulation results, but only a few describe accurately the simulation models and their parameters. The aim of this work is to establish an explicit procedure for achieving reliable TCAD simulation results. For this purpose the physical parameters and properties of 4H-SiC ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/43707
ND
43707
Εναλλακτικός τίτλος
Development of silicon carbide (SiC) micro vertical transverse field effect transistors
Συγγραφέας
Στεφανάκης, Διονύσιος Ζαχαρίας
Ημερομηνία
2018
Ίδρυμα
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης. Εργαστήριο ηλεκτρικού χαρακτηρισμού και προσομοίωσης υλικών και διατάξεων μικρο – νανο- ηλεκτρονικής (MINED)
Εξεταστική επιτροπή
Τάσσης Δημήτριος
Ζεκεντές Κωνσταντίνος
Δημητριάδης Χαράλαμπος
Φράγκης Νικόλαος
Μπούχερ Ματτίας
Κωνσταντινίδης Γεώργιος
Ξανθάκης Ιωάννης
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές Επιστήμες
Φυσική
Μηχανική & Τεχνολογία
Επιστήμες Ηλεκτρολόγου Μηχανικού, Ηλεκτρονικού Μηχανικού & Μηχανικού Η/Υ
Λέξεις-κλειδιά
Δίοδοι ισχύος; Τρανζίστορ εγκάρσιου πεδίου (VJFET); Καρβίδιο του πυριτίου 4H-SiC; TCAD προσομοίωση
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
298 σ., εικ., πιν., σχημ.
Ειδικοί όροι χρήσης/διάθεσης
Το έργο παρέχεται υπό τους όρους της δημόσιας άδειας του νομικού προσώπου Creative Commons Corporation:Creative Commons Αναφορά Δημιουργού Μη εμπορική Χρήση Παρόμοια Διανομή 3.0 Ελλάδα