Ανάπτυξη μοντέλων για προσομοίωση κυκλωμάτων σε νανομετρικές τεχνολογίες

Περίληψη

Η παρούσα διατριβή επικεντρώνεται στη διευκόλυνση της διαδικασίας σχεδιασμού ηλεκτρονικών κυκλωμάτων σε νανομετρικές διαστάσεις προτείνοντας μοντέλα προσομοιώσεων για διατάξεις και κυκλώματα του ευρύτερου τομέα της ηλεκτρονικής. Τα προτεινόμενα μοντέλα τοποθετούνται σε τρία ερευνητικά πεδία: α) της αξιοπιστίας νάνο-διατάξεων τρανζίστορ τεχνολογίας FinFET, β) του πεδίου της αναζήτησης νέων πρακτικών μεθόδων για τον ηλεκτρικό χαρακτηρισμό συνδυαστικών CMOS πυλών νανοκλίμακας και γ) της μοντελοποίησης διατάξεων μεμρίστορ τεχνολογίας ReRAM βασισμένα σε πειραματικά δεδομένα χαρακτηρισμού. Κατά ανάλογο τρόπο η διατριβή χωρίζεται σε τρία μέρη. Στο πρώτο μέρος της διατριβής γίνεται διερεύνηση της καταπόνησης τρανζίστορ FinFET n-τύπου με μήκος διαύλου νανο-κλίμακας βάση πειραματικών μετρήσεων. Η μελέτη υποδεικνύει ότι η καταπόνηση των διατάξεων οφείλεται κυρίως στη δημιουργία παγίδων ηλεκτρικού φορτίου στη διεπαφή πύλης-καναλιού πολύ κοντά στην περιοχή του απαγωγού. Εξάγονται εκφράσεις που συνδ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

The focus of these thesis is the facilitation of the electronic circuit design process in nano-scale dimensions by proposing both device and circuit level simulation models that span in different research fields. The models are purposely designed to tackle with practical simulation problems that occur in the nano-scale, focusing on simulation accuracy, speed and interoperability with modern simulation tools. The models are categorized in three fields: a) reliability in nanoscale FinFET transistors, b) robust characterization of nanoscale combinational CMOS gates and c) data-driven memristor (memory resistors) modeling. Accordingly, the thesis is separated in three parts that account for each discreet research field investigated. Part 1 investigates the hot-carrier (HC) degradation of short-channel n-FinFETs based on experimental results. The study indicates that the main degradation mechanism is interface trap generation which spans in the entire channel length but is more significant ...
περισσότερα
Η διατριβή είναι δεσμευμένη από τον συγγραφέα  (μέχρι και: 11/2019)
Το πλήρες κείμενο της διατριβής είναι διαθέσιμο σε έντυπη μορφή από τη Βιβλιοθήκη Επιστήμης και Τεχνολογίας του ΕΚΤ
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/45660
ND
45660
Εναλλακτικός τίτλος
Modeling for circuit simulation in the nanometer regime
Συγγραφέας
Μεσσάρης, Ιωάννης Γεώργιος
Ημερομηνία
2019
Ίδρυμα
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής
Εξεταστική επιτροπή
Νικολαΐδης Σπυρίδων
Δημητριάδης Χαράλαμπος
Τάσσης Δημήτριος
Σίσκος Στυλιανός
Σιώζιος Κωνσταντίνος
Γούδος Σωτήριος
Χατζόπουλος Αλκιβιάδης
Επιστημονικό πεδίο
Μηχανική & Τεχνολογία
Επιστήμες Ηλεκτρολόγου Μηχανικού, Ηλεκτρονικού Μηχανικού & Μηχανικού Η/Υ
Λέξεις-κλειδιά
Νανοτεχνολογία; Μοντέλα προσομοίωσης; Τρανζίστορ; Μεμρίστορ
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Αγγλικά
Ειδικοί όροι χρήσης/διάθεσης
Το έργο παρέχεται υπό τους όρους της δημόσιας άδειας του νομικού προσώπου Creative Commons Corporation:Creative Commons Αναφορά Δημιουργού Μη εμπορική Χρήση Παρόμοια Διανομή 3.0 Ελλάδα