Σχεδιασμός και ανάπτυξη νανοηλεκτρονικών κυκλωμάτων και αρχιτεκτονικών

Περίληψη

H συνεχής σμίκρυνση των διαστάσεων των CMOS κυκλωμάτων αναμένεται σύντομα να πλησιάσει τα θεμελιώδη φυσικά όρια της. Το γεγονός αυτό έχει στρέψει το παγκόσμιο ερευνητικό ενδιαφέρον σε αναδυόμενες νανοηλεκτρονικές διατάξεις. Αυτή την περίοδο πραγματοποιείται εντατική έρευνα σε εναλλακτικές διατάξεις και αρχιτεκτονικές επεξεργασίας πληροφορίας με απώτερο στόχο τη διατήρηση της ιστορικά αυξανόμενης απόδοσης των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων που συχνά αναφέρεται ως «νόμος του Moore». Μεταξύ των νέων νανοτεχνολογιών που ερευνώνται αυτή την περίοδο, οι διατάξεις μεταβαλλόμενης αντίστασης ευρύτερα χαρακτηριζόμενες ως «memristors», επιδεικνύουν ως τώρα σπουδαίες λειτουργικές δυνατότητες και θεωρούνται ως πιθανός διάδοχος της CMOS τεχνολογίας τόσο σε διατάξεις μνήμης όσο και επεξεργασίας στα ηλεκτρονικά συστήματα του μέλλοντος. Το memristor προτάθηκε από τον L. O. Chua το 1971 ως το τέταρτο θεμελιώδες κυκλωματικό στοιχείο για να προσχωρήσει στα ήδη γνωστά μας: αντιστάτης, πυκνωτής, και πηνίο. Πρόκει ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

Dimensional scaling of CMOS technology is expected to soon reach fundamental physical limits. This has driven great research efforts in emerging nanoelectronic devices over the last decade. Several new alternative information processing devices and architectures for existing or new functions are being explored in an attempt to sustain the historical integrated circuit performance increase. Among many nanotechnologies currently under investigation, resistance-switching devices, generally referred as “memristors”, show great potential and are widely considered as a possible successor of CMOS-based storage and processing cells in future electronic systems. The memristor was predicted by L. O. Chua in 1971 as the fourth fundamental circuit element, joining the resistor, the capacitor, and the inductor. It is a passive two-terminal electronic device whose behavior is described by a nonlinear constitutive relation between the voltage drop at its terminals and the flowing current. However, th ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/35174
ND
35174
Εναλλακτικός τίτλος
Design and development of nanoelectronic circuits and architectures
Συγγραφέας
Βούρκας, Ιωάννης του Παναγιώτης
Ημερομηνία
2014
Ίδρυμα
Δημοκρίτειο Πανεπιστήμιο Θράκης (ΔΠΘ). Σχολή Πολυτεχνική. Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. Τομέας Ηλεκτρονικής και Τεχνολογίας Συστημάτων Πληροφορικής. Εργαστήριο Ηλεκτρονικής
Εξεταστική επιτροπή
Συρακούλης Γεώργιος
Ανδρεάδης Ιωάννης
Ζερβάκης Μιχαήλ
Καραφυλλίδης Ιωάννης
Τσουκαλάς Δημήτριος
Νικολαϊδης Σπυρίδων
Σίσκος Στυλιανός
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές Επιστήμες
Επιστήμη Ηλεκτρονικών Υπολογιστών και Πληροφορική
Επιστήμες Μηχανικού και Τεχνολογία
Επιστήμη Ηλεκτρολόγου Μηχανικού, Ηλεκτρονικού Μηχανικού, Μηχανικού Η/Υ
Λέξεις-κλειδιά
Νανοηλεκτρονική; Νανοηλεκτρονικά κυκλώματα; Συνδυαστικά κυκλώματα; Ακολουθιακά κυκλώματα; Ψηφιακά κυκλώματα και συστήματα; Προβλήματα μη-πολυωνυμικής πολυπλοκότητας; Ωμικοί αντιστάτες με μνήμη; Ωμικά πλέγματα
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
176 σ., πιν., σχημ., γραφ.
Ειδικοί όροι χρήσης/διάθεσης
Το έργο παρέχεται υπό τους όρους της δημόσιας άδειας του νομικού προσώπου Creative Commons Corporation:
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)