Τρανζίστορ MOSFET νανοσυρμάτων τριπλής πύλης χωρίς ανορθωτικές επαφές: συμπαγή μοντέλα για εφαρμογή σε προσομοίωση κυκλωμάτων

Περίληψη

Από τη δεκαετία του 1970, η επιδίωξη του νόμου του Moore οδήγησε στη συνεχή συρρίκνωση των τρανζίστορ και συνεπώς στη μείωση του μεγέθους των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Κατά συνέπεια, η βιομηχανία έχει φτάσει στα όριά της όσον αφορά την σμίκρυνση των ημιαγωγικών διατάξεων. Το τρανζίστορ χωρίς ανορθωτικές επαφές ερευνάται ως μια υποψήφια διάταξη για τη συνέχιση του νόμου του Moore. Το αντικείμενο αυτής της διδακτορικής διατριβής επικεντρώνεται στην ανάπτυξη συμπαγών αναλυτικών μοντέλων για τρανζίστορ τριπλής πύλης χωρίς ανορθωτικές επαφές (Triple Gate Junctionless Transistors – TG JLTs) καθώς και στην εφαρμογή τους σε βασικά κυκλώματα.Μία ανεπιθύμητη παράμετρος της ημιαγωγικής διάταξης είναι το ρεύμα διαρροής υπό συνθήκες εκτός λειτουργίας. Έτσι λοιπόν, το πρώτο βήμα αυτής της διατριβής είναι η μελέτη του ρεύματος διαρροής σε TG JLTs. Ειδικότερα, μετρήθηκαν πειραματικά τρανζίστορ TG JLTs n- και p-καναλιού με πύλη HfSiON/TiN/p+-polysilicon ισοδύναμου πάχους οξειδίου 1,2 nm και το ρεύμα δι ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

Since the 1970s, the relentless pursuit of Moore’s law led to the continuous shrinkage of transistors and thus the massive reduction on integrated circuits’ size. Consequently, the industry has reached its limits concerning the device scaling. The junctionless transistor is researched as a promising candidate for the continuation of Moore’s law. The subject of this thesis is focused on the development of compact models for triple-gate junctionless transistors (TG JLTs), as well as their implementation in basic circuits. Initially, the development of a drain current compact model is crucial as it will serve as a core model for the investigation of physical phenomena that govern the TG JLTs. These phenomena can then be inserted in the drain current compact model and extend its operation to cover multiple fields. The goal of this process is to incorporate the drain current compact model to circuit simulators and assess the operation of electronic circuits utilizing TG JLTs.An undesirable ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/48342
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/48342
ND
48342
Εναλλακτικός τίτλος
Triple-gate junctionless MOSFETs: compact models for application in circuit simulators
Συγγραφέας
Οπρογλίδης, Θεόδωρος του Αθανάσιος
Ημερομηνία
2020
Ίδρυμα
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης. Εργαστήριο ηλεκτρικού χαρακτηρισμού και προσομοίωσης υλικών και διατάξεων μικρο – νανο- ηλεκτρονικής (MINED)
Εξεταστική επιτροπή
Δημητριάδης Χαράλαμπος
Νικολαΐδης Σπυρίδων
Τάσσης Δημήτριος
Χρυσάφης Κωνσταντίνος
Χατζηκρανιώτης Ευριπίδης
Σίσκος Στυλιανός
Λαόπουλος Θεόδωρος
Επιστημονικό πεδίο
Επιστήμες Μηχανικού και ΤεχνολογίαΝανοτεχνολογία
Λέξεις-κλειδιά
Τρανζίστορ πολλαπλής πύλης; Αναλυτικά μοντέλα; Τρανζίστορ χωρίς ανορθωτικές επαφές
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
3, xxi, 182 σ., εικ., πιν., σχημ., γραφ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)