Νανο-τρανζίστορ MOSFETs πολλαπλών πυλών: συμπαγή μοντέλα ρεύματος και θορύβου για ανάπτυξη εργαλείων αυτοματοποιημένου σχεδιασμού νανο-ηλεκτρονικών

Περίληψη

Βασικός στόχος της παρούσας διατριβής είναι η ανάπτυξη συμπαγών μοντέλων για το ρεύμα απαγωγού και τις δια-χωρητικότητες των νανο-τρανζίστορ MOSFET πολλαπλών-πυλών, που να ισχύουν σε όλες τις περιοχές λειτουργίας. Τα μοντέλα αυτά θα πρέπει να είναι κατάλληλα για προσαρμογή στα σύγχρονα περιβάλλοντα προσομοίωσης, επιτρέποντας το σχεδιασμό CMOS κυκλωμάτων νανο-κλίμακας υψηλής απόδοσης. Αρχικά, αναπτύσσονται αναλυτικά μοντέλα για την τάση κατωφλίου, την κλίση υπο-κατωφλίου και το φαινόμενο DIBL σε διατάξεις συμμετρικού MOSFET διπλής-πύλης (DG) και χαμηλής συγκέντρωσης προσμίξεων. Στη συνέχεια, αυτές οι παράμετροι χρησιμοποιούνται για την ανάπτυξη ενός συμπαγούς και αναλυτικού μοντέλου για το ρεύμα απαγωγού το οποίο περιλαμβάνει τα φαινόμενα μικρού καναλιού, το φαινόμενο της διαμόρφωσης του μήκους του καναλιού, την υποβάθμιση της ευκινησίας λόγω σκέδασης των ηλεκτρονίων, το φαινόμενο της ταχύτητας κόρου και την αντίσταση σειράς. Ακολουθώντας την ίδια διαδικασία με αυτή που ακολουθήθηκε σ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

Fundamental goal of this dissertation is to develop compact models for the drain current and trans-capacitances of nano-scale multi-gate (MG) MOSFETs valid in all regions of operation. These models should be suitable for adaptation in modern simulating environments, allowing the design of high performance nano-scale CMOS circuits. Starting with the lightly doped symmetrical double-gate (DG) MOSFET, analytical models are derived for the threshold voltage, the sub-threshold slope, and the DIBL. These parameters are used for the development of a compact charge-based drain current model, continuous in all regions of operation, which includes the short-channel effects, the channel length modulation, the mobility degradation, the saturation velocity and the series resistance effects. Following the same procedure as for DG FinFETs an analytical compact drain current model is developed for triple-gate (TG) FinFETs with rectangular cross-section. Based on the unified expressions for the drain c ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/35362
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/35362
ND
35362
Εναλλακτικός τίτλος
Nano-scale multi-gate MOSFETs: compact models for the drain current and noise for development of automated design tools of nano-electronics
Συγγραφέας
Φασαράκης, Νικόλαος του Κωνσταντίνος
Ημερομηνία
2014
Ίδρυμα
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης
Εξεταστική επιτροπή
Δημητριάδης Χαράλαμπος
Μπούχερ Ματίας
Τάσσης Δημήτριος
Σίσκος Στυλιανός
Χρυσάφης Κωνσταντίνος
Λαόπουλος Θεόδωρος
Νικολαΐδης Σπυρίδων
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές ΕπιστήμεςΦυσική
Λέξεις-κλειδιά
FinFET πολλαπλών πυλών; Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός; Συμπαγή μοντέλα; Τεχνική εξαγωγής παραμέτρων; Κατασκευαστική μεταβλητότητα
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
xvi, 207 σ., εικ., πιν., σχημ., γραφ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)