Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός και ανάπτυξη μοντέλων προηγμένων MOSFET νανοκλίμακας υπέρλεπτου υμενίου και εμφυτευμένου οξειδίου και εφαρμογή σε προσομοίωση κυκλωμάτων

Περίληψη

Στόχος της παρούσας διδακτορικής διατριβής είναι η αντιμετώπιση ζητημάτων που προκύπτουν από την ελάττωση στις διαστάσεις των διατάξεων MOSFET δύο πυλών πλήρους κένωσης πυριτίου-πάνω σε-μονωτή (Fully Depleted Silicon-On-Insulator – FDSOI MOSFET) στον σύγχρονο σχεδιασμό MOSFET, δηλαδή την ανάπτυξη ενός αναλυτικού και συμπαγούς μοντέλου ρεύματος απαγωγού, που θα ισχύει σε όλες τις περιοχές λειτουργίας του τρανζίστορ, από την ασθενή εώς την ισχυρή αναστροφή και που θα περιγράφει με ακρίβεια τις χαρακτηριστικές εισόδου και εξόδου των διατάξεων νανο-κλίμακας FDSOI και την διερεύνηση ζητημάτων επιδόσεων -δηλαδή αξιοπιστίας (reliability) και μεταβλητότητας (variability)- αυτών των προηγμένων διατάξεων νανοκλίμακας.Αρχικά, παρουσιάζουμε μια νέα μεθοδολογία για την εξαγωγή των ηλεκτρικών παραμέτρων διατάξεων νανοκλίμακας FDSOI MOSFET που ισχύει σε όλο το εύρος της τάσης πύλης και βασίζεται στην συνάρτηση Lambert W. Με χρήση των μετρήσεων χωρητικότητας επιβεβαιώνεται ότι η συνάρτηση Lambert W μπ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

Τhe motivation for this dissertation is two of the main issues brought up by the scaling of new-era devices in contemporary MOSFET design: the development of an analytical and compact drain current model, valid in all regions of operation describing accurately the transfer and output characteristics of short-channel FDSOI devices and the investigation of reliability and variability issues of such advanced nanoscale transistors. Chapter II provides a theoretical and technical background for the better understanding of this dissertation, focusing on the critical MOSFET electrical parameters and the techniques for their extraction. It demonstrates the so-called Y-Function and Split-CV methodologies for electrical characterization in diverse types of semiconductors. The influence of AC signal oscillator level on effective mobility measurement by split C-V technique in MOSFETs is also analyzed. A new methodology based on the Lambert W function which allows the extraction of MOSFET parameter ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/42102
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/42102
ND
42102
Εναλλακτικός τίτλος
Electrical characterization and modeling of advanced nano-scale ultra thin body and buried oxide MOSFETs and application in circuit simulations
Caractérisation et modélisation de UTBB MOSFET sur SOI pour les technologies CMOS avancées et applications en simulations circuits
Συγγραφέας
Καρατσόρη, Θεανώ του Αντώνιος
Ημερομηνία
2017
Ίδρυμα
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής
Εξεταστική επιτροπή
Δημητριάδης Χαράλαμπος
Νικολαΐδης Σπυρίδων
Τάσσης Δημήτριος
Ghibaudo Gérard
Balestra Francis
Malbert Nathalie
Gautier Brice
Επιστημονικό πεδίο
Επιστήμες Μηχανικού και ΤεχνολογίαΕπιστήμη Ηλεκτρολόγου Μηχανικού, Ηλεκτρονικού Μηχανικού, Μηχανικού Η/Υ
Επιστήμες Μηχανικού και ΤεχνολογίαΝανοτεχνολογία
Λέξεις-κλειδιά
MOSFET τρανζίστορ; Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός; Μοντελοποίηση
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
185 σ., εικ., πιν., σχημ., γραφ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)