Χαρακτηρισμός και ανάπτυξη μοντέλων τρανζίστορ MOFSET πολλαπλών πυλών νανοδιαστάσεων

Περίληψη

Η διδακτορική διατριβή επικεντρώνεται στη θεωρητική και πειραματική μελέτη των MOSFET πολλαπλών πυλών νανοδιαστάσεων. Το θεωρητικό τμήμα προσανατολίζεται στη παραγωγή αναλυτικών εκφράσεων για την κατανομές δυναμικού μέσα στο κανάλι από τις οποίες παράγονται χαρακτηριστικές παράμετροι των τρανζίστορ όπως το δυναμικό κατωφλίου, η κλίση των χαρακτηριστικών εισόδου κάτω από την τάση κατωφλίου (SS) και η επαγόμενη από τον απαγωγό μείωση του φράγματος δυναμικού (DIBL). Ο τελικός σκοπός της εργασίας συνίσταται στην δημιουργία αναλυτικών εκφράσεων για το ρεύμα του απαγωγού που να ισχύουν σε όλες τις περιοχές λειτουργίας του τρανζίστορ, από την ασθενή ως την ισχυρή αναστροφή, κάτω και πάνω από την τάση κατωφλίου. Η πρώτη περίπτωση που μελετήθηκε ήταν τα συμμετρικά MOSFET διπλής πύλης (DG MOSFETs) και όλα τα υπόλοιπα τρανζίστορ πολλαπλών πυλών στηρίχθηκαν σε αυτήν την ανάλυση. Για το πειραματικό τμήμα της διδακτορικής διατριβής, οι χαρακτηριστικές εισόδου και εξόδου μονών και 5-FinFET μετρήθηκαν ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

The subject of the PhD is focused on theoretical and experimental studies of nanoscale multi-gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs). The theoretical part is orientated towards the derivation of analytical expressions for the potential distribution within the channel of the transistors, from which characteristic parameters of the transistors like threshold voltage, subthreshold slope (SS) and Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) are derived. The final aim of the work is to obtain analytical compact expressions for the drain current, valid in all regions of operation, i.e. from weak inversion to strong inversion in the below and above threshold voltage regions. First, symmetrical Double-Gate MOSFETs (DG MOSFETs) are studied, whereas the study of all other types of multi-gate MOSFETs (triple-gate and gate-all-around) is based on the derived model of DG MOSFETs. Different approaches produced various and interesting solutions for the different devices. For the ex ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

La thèse s'est développée autour de deux axes majeurs concernant des transistors MOS multi-grilles : i) le développement de modèles analytiques compacts décrivant la distribution du potentiel le long du canal et toutes les autres grandeurs caractéristiques du transistor et ii) l'étude expérimentale d'un MOSFET multi-grille particulier, le FinFET. Une expression analytique simple décrivant la distribution du potentiel dans le canal a été obtenue en faible inversion, pour un transistor symétrique à double grille (DG MOSFET). Les expressions analytiques sont utilisables même pour des longueurs de canal L de moins de 30 nm pourvu que le rappor L/tSi soit ≥ 2 à 3 (tSi épaisseur de la couche de silicium). En utilisant le potentiel additionnel induit dans le canal par les effets de canal court (SCE), une expression semi-analytique a été dérivée pour calculer le courant sous le seuil et, par la suite, la pente sous le seuil, l'abaissement de barrière induit par le drain et la tension de seuil. ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/19413
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/19413
ND
19413
Εναλλακτικός τίτλος
Characterization and modeling of nanoscale multi-gate MOSFETs
Συγγραφέας
Τσορμπατζόγλου, Ανδρέας του Α.
Ημερομηνία
2009
Ίδρυμα
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής
Εξεταστική επιτροπή
Δημητριάδης Χαράλαμπος
Καρακώστας Θεόδωρος
Βαλασιάδης Οδυσσέας
Αναγνωστόπουλος Αντώνιος
Σίσκος Στυλιανός
Παπαδημητρίου Λεωνίδας
Πολάτογλου Χαρίτων
Πανανακάκης Γεώργιος
Ghibaudo Gerard
Νασσιοπούλου Ανδρούλα
Ζεκέντες Κωνσταντίνος
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές Επιστήμες
Φυσική
Λέξεις-κλειδιά
Τρανζίστορ πολλαπλής πύλης; Φαινόμενα κοντού καναλιού; Κατώφλι δυναμικού; Αναλυτικό μοντέλο; FINFET τριπλής πύλης; Φορτία διεπιφάνειας; Σχεδιαστική βελτιστοποίησης; Ρεύμα διαρροής
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
2, xix, 168 σ., σχημ., γραφ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)