Μελέτη της επίδρασης του αζώτου στα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά των διατάξεων MOS σε πυρίτιο υπό μηχανική τάση
Περίληψη
Το πυρίτιο υπό μηχανική τάση είναι το σημαντικότερο υπόστρωμα αυξημένης ευκινησίας καθώς προσφέρει υψηλότερη ευκινησία φορέων όντας συμβατό με την ήδη υπάρχουσα τεχνολογία πυριτίου και η ανάπτυξη διηλεκτρικών σε αυτό είναι σημαντική για την απόδοση των δομών μικροηλεκτρονικής. Στη παρούσα Διδακτορική Διατριβή πραγματοποιήθηκε μια συστηματική μελέτη των φυσικών ιδιοτήτων δομών τύπου μετάλλου – οξειδίου – ημιαγωγού (MOS) σε υπόστρωμα πυριτίου υπό μηχανική τάση (s-Si) και μελετήθηκε η επίδραση του αζώτου στα ηλεκτρικά τους χαρακτηριστικά. Χρησιμοποιήθηκαν δομές s-Si/Si1-xGex/Si δύο διαφορετικών επιπέδων μηχανικής τάσης. Ως μέθοδος ανάπτυξης των διηλεκτρικών χρησιμοποιήθηκε η θερμική οξυνιτριδίωση σε περιβάλλον 100% Ν2Ο και η εμφύτευση αζώτου Ν2 + χαμηλής ενέργειας εμφύτευσης, ενώ παράλληλα μελετήθηκε και η ανάπτυξη κοινών θερμικών οξειδίων. Ευρέθη ότι ο εμπλουτισμός των διηλεκτρικών με άζωτο είναι εφικτός και βελτιστοποιήθηκαν οι συνθήκες για τις οποίες προσδίδει άριστα ηλεκτρικά χαρακτηρ ...
περισσότερα
Περίληψη σε άλλη γλώσσα
Strained-Silicon (s-Si) substrates provide mobility enhancement for both electrons and holes. The formation of dielectrics on s-Si is important for device performance. In this work, a systematic study of the oxidation and oxynitridation of s-Si was performed. Two s-Si substrates of different strain level were examined and oxynitrides were formed by (a) oxidation in 100% N2O ambient and (b) thermal oxidation of Nitrogen implanted s-Si. Standard thermal oxidation of s-Si was examined as well. The formation of Nitrogen enriched dielectrics was optimized leading to oxynitrides with excellent electrical properties. UV-Raman spectroscopy was applied in order to study post-thermal process stress by isolating the s-Si signal. Additionally, the effect of the s-Si overlayer thickness on the MOS electrical properties was examined. Further analysis applying measurements at elevated temperatures showed thermally activated charge trapping mechanisms. Post oxidation thermal annealing experiments reve ...
περισσότερα
Κατεβάστε τη διατριβή σε μορφή PDF (4.06 MB)
(Η υπηρεσία είναι διαθέσιμη μετά από δωρεάν εγγραφή)
|
Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.
|
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στους συνδεδεμένους στο σύστημα χρήστες οι οποίοι έχουν αλληλεπιδράσει με τη διδακτορική διατριβή. Ως επί το πλείστον, αφορά τις μεταφορτώσεις.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.