Μελέτη της επίδρασης του αζώτου στα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά των διατάξεων MOS σε πυρίτιο υπό μηχανική τάση

Περίληψη

Το πυρίτιο υπό μηχανική τάση είναι το σημαντικότερο υπόστρωμα αυξημένης ευκινησίας καθώς προσφέρει υψηλότερη ευκινησία φορέων όντας συμβατό με την ήδη υπάρχουσα τεχνολογία πυριτίου και η ανάπτυξη διηλεκτρικών σε αυτό είναι σημαντική για την απόδοση των δομών μικροηλεκτρονικής. Στη παρούσα Διδακτορική Διατριβή πραγματοποιήθηκε μια συστηματική μελέτη των φυσικών ιδιοτήτων δομών τύπου μετάλλου – οξειδίου – ημιαγωγού (MOS) σε υπόστρωμα πυριτίου υπό μηχανική τάση (s-Si) και μελετήθηκε η επίδραση του αζώτου στα ηλεκτρικά τους χαρακτηριστικά. Χρησιμοποιήθηκαν δομές s-Si/Si1-xGex/Si δύο διαφορετικών επιπέδων μηχανικής τάσης. Ως μέθοδος ανάπτυξης των διηλεκτρικών χρησιμοποιήθηκε η θερμική οξυνιτριδίωση σε περιβάλλον 100% Ν2Ο και η εμφύτευση αζώτου Ν2 + χαμηλής ενέργειας εμφύτευσης, ενώ παράλληλα μελετήθηκε και η ανάπτυξη κοινών θερμικών οξειδίων. Ευρέθη ότι ο εμπλουτισμός των διηλεκτρικών με άζωτο είναι εφικτός και βελτιστοποιήθηκαν οι συνθήκες για τις οποίες προσδίδει άριστα ηλεκτρικά χαρακτηρ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

Strained-Silicon (s-Si) substrates provide mobility enhancement for both electrons and holes. The formation of dielectrics on s-Si is important for device performance. In this work, a systematic study of the oxidation and oxynitridation of s-Si was performed. Two s-Si substrates of different strain level were examined and oxynitrides were formed by (a) oxidation in 100% N2O ambient and (b) thermal oxidation of Nitrogen implanted s-Si. Standard thermal oxidation of s-Si was examined as well. The formation of Nitrogen enriched dielectrics was optimized leading to oxynitrides with excellent electrical properties. UV-Raman spectroscopy was applied in order to study post-thermal process stress by isolating the s-Si signal. Additionally, the effect of the s-Si overlayer thickness on the MOS electrical properties was examined. Further analysis applying measurements at elevated temperatures showed thermally activated charge trapping mechanisms. Post oxidation thermal annealing experiments reve ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/19987
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/19987
ND
19987
Εναλλακτικός τίτλος
The effect of Nitrogen on the electrical characteristics of strained-Silicon MOS structures structures
Συγγραφέας
Κελαϊδής, Νικόλαος (Πατρώνυμο: Πέτρος)
Ημερομηνία
2009
Ίδρυμα
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης
Εξεταστική επιτροπή
Δημητριάδης Χαράλαμπος
Παπαδημητρίου Λεωνίδας
Τσάμης Χρήστος
Καρακώστας Θεόδωρος
Παρασκευόπουλος Κωνσταντίνος
Βαλασιάδης Οδυσσέας
Χρυσάφης Κωνσταντίνος
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές ΕπιστήμεςΦυσική
Λέξεις-κλειδιά
Πυρίτιο υπό μηχανική τάση; Άζωτο; Νιτριδιωμένο οξείδιο; Νιτριδίωση; Δομές MOS; Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά; Φυσική ημιαγωγών; Υλικά
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
208 σ., εικ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στους συνδεδεμένους στο σύστημα χρήστες οι οποίοι έχουν αλληλεπιδράσει με τη διδακτορική διατριβή. Ως επί το πλείστον, αφορά τις μεταφορτώσεις.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)