Μοντελοποίηση MOS τρανζίστορ σε υψηλές συχνότητες

Περίληψη

Στόχος ενός αναλυτικού μοντέλου MOSFET είναι η συνεπής και φυσικά ορθή περιγραφή των τρανζίστορ, στο πλαίσιο μίας μοντέρνας τεχνολογίας CMOS. Από την άλλη όμως, ένα μοντέλο έχει πολλά περισσότερα να προσφέρει στον σχεδιαστή από ένα μαύρο κουτί, που απαντάει στην αναρώτηση του για το πως δουλεύει ένα συγκεκριμένο στοιχείο ενός κυκλώματος και πως μπορεί να βελτιστοποιηθεί η σχεδίαση του κυκλώματος. Στην παρούσα διατριβή μελετάται η μοντελοποίηση του MOSFET. Προϊόν αυτής είναι η υλοποίηση ενός αναλυτικού μοντέλου MOSFET, συμβατού με μία πληθώρα προσομοιωτών ηλεκτρικών κυκλωμάτων και ικανού να καλύψει όλα τα φαινόμενα που παρουσιάζονται στις μοντέρνες, υπομικρομετρικές CMOS τεχνολογίες. Πραγματοποιείται ένας ποσοτικός και ποιοτικός έλεγχος της συμπεριφοράς του μοντέλου, τόσο σε σύγκριση με σύγχρονες τεχνολογίες ελάχιστου μήκους καναλιού μέχρι και 70nm, όσο και με βάση την φυσική θεωρία που περιγράφει την συμπεριφορά του τρανζίστορ. Η μοντελοποίηση που αναλύεται εδώ, στηρίζεται στην θεωρία ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

The target of an analytical MOSFET model is the consistent and physically correct description of the transistor, within the frame of a modern CMOS technology. But, on the other hand, a model has much more to offer to the designer than a black box that answers the wondering of how a certain element of a circuit works, and how the circuit’s behaviour may be optimized. At this thesis the modelling of the MOSFET is studied. Its product is the implementation of an analytical MOSFET model, compatible with a plethora of simulators of electrical circuits, able to cover all the phenomena that appear in modern submicron CMOS technologies. A quantitative and qualitative verification of the behaviour of the model is presented, in comparison with modern technologies of minimum channel length down to 70nm, and also against tests based on the physics theory that describes the behaviour of the transistor. The modelling procedure that is analyzed here, is based on the charge sheet theory. According to ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/17037
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/17037
ND
17037
Εναλλακτικός τίτλος
Modeling of MOS transistor at high frequencies
Συγγραφέας
Μπαζίγος, Αντώνιος (Πατρώνυμο: Σ.)
Ημερομηνία
2008
Ίδρυμα
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (ΕΜΠ). Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. Τομέας Επικοινωνιών, Ηλεκτρονικής και Συστημάτων Πληροφορικής
Εξεταστική επιτροπή
Παπανάνος Ιωάννης
Bucher (Μπούχερ) Matthias (Ματτίας)
Αβαριτσιώτης Ιωάννης
Καϊάφας Ελευθέριος
Τσαμάκης Δημήτριος
Ξανθάκης Ιωάννης
Τσουκαλάς Δημήτριος
Επιστημονικό πεδίο
Επιστήμες Μηχανικού και ΤεχνολογίαΕπιστήμη Ηλεκτρολόγου Μηχανικού, Ηλεκτρονικού Μηχανικού, Μηχανικού Η/Υ
Λέξεις-κλειδιά
Αναλυτική μοντελοποίηση; Τρανζίστορ πεδιακού φαινομένου MOS; Υψηλές συχνότητες rf
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
235 σ., εικ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στους συνδεδεμένους στο σύστημα χρήστες οι οποίοι έχουν αλληλεπιδράσει με τη διδακτορική διατριβή. Ως επί το πλείστον, αφορά τις μεταφορτώσεις.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)