ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΑΜΟΡΦΩΝ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ
Περίληψη
Σ'ΑΥΤΗ ΤΗΝ ΕΡΓΑΣΙΑ ΕΦΑΡΜΟΣΤΗΚΑΝ ΔΙΑΦΟΡΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΓΙΑ ΤΗΝ ΜΕΛΕΤΗ ΦΑΙΝΟΜΕΝΩΝ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΟΠΩΣ Η D.C. ΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑ ΣΚΟΤΟΥΣ, ΘΕΡΜΟΤΑΣΗ, ΦΩΤΟΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑ, ΟΠΤΙΚΗ ΑΠΟΡΡΟΦΗΣΗ ΚΑΙ Η CPM ΜΕΘΟΔΟΣ ΣΕ ΑΜΟΡΦΑ FILM ΑΠΟ SPUTTERING GE SE BIX ΚΑΙ ΣΕ ΥΔΡΟΓΟΝΟΜΕΝΟ ΠΥΡΙΤΙΟ A-SI:H ΠΑΡΑΣΚΕΥΑΣΜΕΝΟ ΜΕ ΤΗ ΜΕΘΟΔΟ ΤΗΣ ΕΚΚΕΝΩΣΗΣ ΑΙΓΛΗΣ (GLAR DISCHARGE) . ΒΡΕΘΗΚΕ ΠΩΣ Η ΠΡΟΣΘΗΚΗ 15% ΒΙ ΠΡΟΚΑΛΕΙ ΜΙΑ ΑΥΞΗΣΗ ΤΟΥ ΜΕΓΕΘΟΥΣ ΤΗΣ ΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑΣ ΣΚΟΤΟΥΣ ΜΕΧΡΙ 10 ΤΑΞΕΩΣ ΜΕΓΕΘΟΥΣ ΚΑΘΩΣ ΕΠΙΣΗΣ ΚΑΙ ΜΙΑ ΜΕΙΩΣΗ ΣΤΟ ΟΠΤΙΚΟ ΧΑΣΜΑ. Η ΘΕΡΜΟΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΤΑΣΗ ΒΡΕΘΗΚΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΓΙΑ Χ>10, ΥΠΟΔΕΙΚΝΥΟΝΤΑΣ ΠΩΣ Ο ΤΥΠΟΣ ΤΗΣ ΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑΣ ΑΛΛΑΞΕ ΑΠΟ Ρ-ΤΥΠΟΥ (ΜΙΚΡΑ Χ) ΣΕ Ν-ΤΥΠΟΥ. ΑΠΟ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ XPS ΒΡΕΘΗΚΕ ΠΩΣ ΤΟ ΒΙ ΕΙΣΑΓΕΤΑΙ ΣΑΝ ΘΕΤΙΚΑ ΦΟΡΤΙΣΜΕΝΟ ΚΕΝΤΡΟ. ΤΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΕΡΜΗΝΕΥΘΗΚΑΝ ΜΕ ΤΗΝ ΜΕΤΑΚΙΝΗΣΗ ΤΗΣ ΣΤΑΘΜΗΣ FERMI ΠΡΟΣ ΤΗΝ ΖΩΝΗ ΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑΣ ΕΞΑΙΤΙΑΣ ΤΗΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗΣ ΑΤΕΛΕΙΩΝ ΜΕ ΘΕΤΙΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ ΣΥΣΧΕΤΙΣΗΣ. ΕΠΙΣΗΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΚΕ Ρ.Ν ΕΠΑΦΗΣ ΑΠΟ ΑΥΤΑ ΤΑ ΥΛΙΚΑ. ΟΙ I-V ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΠΑΡΟΥΣΙΑΖΟΥΝ ΤΗ ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑ ΤΩΝ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ ΑΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ ΟΠΩΣ ΑΝΑΜΕΝΕΤΑΙ ...
περισσότερα
Περίληψη σε άλλη γλώσσα
IN THIS STUDY TRANSPORT PROPERTIES SUCH AS D.C. DARK CONDUCTIVITY, THERMOPOWER,PHOTOCONDUCTIVITY, CPM ADOPTICAL ABSORPTION WERE APPLIED TO SPUTTERED AMORPHOUS GE SE BIX AND AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON A-SI:H FILMS FROM GLOW DISCHARGE. IT WAS FOUND THAT ADDITION OF 15,6 AT % BI LEADS TO AN INCREASE OF TEN ORDERSOF MAGNITUDE IN ELECTRICAL CONDUCTIVITY AS WELL AS A DECREASE IN THE OPTICAL GAPS. A NEGATIVE SIGN OF THE THERMOPOWER WAS OBSERVED FOR X>10, INDICATING THAT THE CONDUCTION TYPE CHANGED FROM P-TYPE (LOW X) TO N-TYPE. FROM XPS RESULTS IT WAS FOUND THAT BI IS INTRODUCED AS A POSITIVE CHANGED CENTRE. THE RESULTS ARE INTERPRETED AS THE EFFECT OF THE SHIFT OF THE FERMI LEVEL CLOSER TO THE CONDUCTION BOUND DUE TO THE INCORPORATION OF POSITIVE U DEFECTS THAT UNPIN THE FERMI ENERGY. IT WAS ALSO FABRICATED A P-N JUNCTION CASE BEHAVIOR THAT IS EXPECTED FOR LOW CONDUCTIVITY AMORPHOUS SEMICONDUCTORS. VALUES OF DRIFT MOBILITY HAVE BEEN OBTAINED FROM THE STEADY STATE AND TRANSIENT PHOTOCONDU ...
περισσότερα
Κατεβάστε τη διατριβή σε μορφή PDF (8.68 MB)
(Η υπηρεσία είναι διαθέσιμη μετά από δωρεάν εγγραφή)
|
Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.
|
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στους συνδεδεμένους στο σύστημα χρήστες οι οποίοι έχουν αλληλεπιδράσει με τη διδακτορική διατριβή. Ως επί το πλείστον, αφορά τις μεταφορτώσεις.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.