Διεπιφάνειες, ατέλειες και πεδία παραμόρφωσης σε κραματικές και στρωματικές ετεροδομές-νανοδομές σύνθετων ημιαγωγών

Περίληψη

Η διδακτορική διατριβή περιλαμβάνει τη μελέτη των δομικών ιδιοτήτων επιταξιακών υμενίων (0001) InGaN με υψηλές συγκεντρώσεις ινδίου. Αυτά τα κράματα των III-Ν σύνθετων ημιαγωγών είναι ιδιαίτερα σημαντικά για εφαρμογές φωτοβολταϊκών στοιχείων υψηλής απόδοσης, καθώς και για προηγμένες οπτοηλεκτρονικές διατάξεις LED και λέιζερ που αποδίδουν σε όλη τη φασματική περιοχή από το κοντινό υπεριώδες έως το υπέρυθρο. Εξετάστηκαν τόσο παχέα υμένια InGaN όσο και εσωτερικά στρώματα και κβαντικά φρέατα InGaN καθώς και υπερδομές InN/GaN. Οι τελευταίες παρουσιάζουν ενδιαφέρον για εφαρμογές ως τοπολογικοί μονωτές σε spintronics και κβαντικούς υπολογιστές. Μελετήσαμε επίσης τις δομικές ιδιότητες δισδιάστατων (2D) σύνθετων ημιαγωγών και τοπολογικών μονωτών ενώσεων του σεληνίου, που είχαν εναποτεθεί επιταξιακά σε υποστρώματα (0001) AlN. Αναλύθηκαν οι δομικές ιδιότητες και η ελαστοπλαστική συμπεριφορά στη νανοκλίμακα με τη χρήση μεθόδων ηλεκτρονικής μικροσκοπίας διέλευσης (TEM). Χρησιμοποιήθηκαν υπολογιστι ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

The present PhD thesis comprises the study of the structural properties of (0001) InGaN epitaxial layers with high indium contents. Such III-nitride compound semiconductor alloys show special promise for high efficiency photovoltaics and for advanced optoelectronics applications such as light-emmiting diodes (LEDs) and lasers covering the spectral range from the UV to the IR. We considered thick epitaxial layers as well as quantum wells, interlayers, and InN/GaN superlattices. The latter also show promise for applications as topological insulators (TIs). This field promises novel applications in spintronics and quantum computing. We also considered the structural properties of two-dimensional (2D) compound semiconductors and TIs belonging to the group of selenides, that have been deposited epitaxially III-nitride templates, in particular (0001) AlN. We have studied the interfacial properties and nanoscale elastoplastic behavior using transmission electron microscopy (TEM) methods. Imag ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/40021
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/40021
ND
40021
Εναλλακτικός τίτλος
Interfaces, defects, and strain fields in alloyed and layered compound semiconductor heterostructures-nanostructures
Συγγραφέας
Μπαζιώτη, Καλλιόπη (Πατρώνυμο: Αθανάσιος)
Ημερομηνία
2017
Ίδρυμα
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης. Εργαστήριο Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας
Εξεταστική επιτροπή
Δημητρακόπουλος Γεώργιος
Κεχαγιάς Θωμάς
Κομνηνού Φιλομήλα
Φράγκης Νικόλαος
Καρακώστας Θεόδωρος
Κιοσέογλου Ιωσήφ
Ηλιόπουλος Ελευθέριος
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές ΕπιστήμεςΦυσική
Λέξεις-κλειδιά
Ηλεκτρονική μικροσκοπία διέλευσης; Ημιαγωγοί ΙΙΙ-νιτρίδια, Gan, InN; Δισδιάστατοι ημιαγωγοί; Δομικές ιδιότητες στερεών
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
xv, 173 σ., εικ., πιν., σχημ., γραφ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στους συνδεδεμένους στο σύστημα χρήστες οι οποίοι έχουν αλληλεπιδράσει με τη διδακτορική διατριβή. Ως επί το πλείστον, αφορά τις μεταφορτώσεις.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)