Συμβολή στην ανάπτυξη μετατροπέων ισχύος με ημιαγωγούς καρβιδίου του πυριτίου και συμβατότητα με τους κώδικες δικτύου

Περίληψη

Στην παρούσα διδακτορική διατριβή μελετάται η αξιοποίηση των ημιαγωγικών διακοπτών καρβιδίου του πυριτίου (SiC) σε μετατροπείς ισχύος διασυνδεδεμένων φωτοβολταϊκών (Φ/Β) σταθμών. Παράλληλα, αναπτύσσονται εξελιγμένες στρατηγικές ελέγχου για την εξασφάλιση της συμβατότητας με τα πρότυπα διασύνδεσης στο δίκτυο ηλεκτρικής ενέργειας και τους σύγχρονους κώδικες δικτύου. Πραγματοποιείται διεξοδική μελέτη της συμπεριφοράς των ημιαγωγών SiC, τόσο στη μόνιμη κατάσταση αγωγής όσο και κατά τις διακοπτικές μεταβάσεις. Ιδιαίτερη έμφαση δίνεται στον χαρακτηρισμό των ημιαγωγών επίδρασης πεδίου ένωσης (JFETs) και των τρανζίστορ επίδρασης πεδίου μονωμένης πύλης (MOSFETs) σε λειτουργία τρίτου τεταρτημόριου και ανάστροφης αποκατάστασης. Η μελέτη επικεντρώνεται στην καταγραφή και ανάλυση της απόκρισης των διακοπτικών στοιχείων SiC σε σφάλματα βραχυκύκλωσης. Ιδιαίτερη προσοχή δίδεται στην επίδραση της παρασιτικής αυτεπαγωγής του κυκλώματος στον τρόπο εξέλιξης του φαινομένου βραχυκύκλωσης. Διεξάγονται διαδοχ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

In this Ph.D. dissertation, the utilization of Silicon Carbide (SiC) power devices in a grid connected photovoltaic (PV) inverter is investigated. Advanced control techniques for ensuring compliance with the interconnection Standards and the new grid code requirements are also developed. A thorough investigation of the conduction and switching properties of the newly introduced semiconductor devices is initially carried out. Emphasis is placed on the characterization of SiC Junction Field Effect Transistors (JFETs) and Metal Oxide Field Effect Transistors (MOSFETs) during third-quadrant operation and reverse recovery. The study is also focused on the response of the SiC power transistors in hard switch faults and faults under load conditions. Special attention is given on the effect of the parasitic inductance on the short circuit progression. A destructive test is performed in order to obtain the short circuit withstand capability and the failure mechanism of each type of semiconducto ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/38467
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/38467
ND
38467
Εναλλακτικός τίτλος
Development of silicon carbide power converters with grid code compatibility
Συγγραφέας
Καμπίτσης, Γεώργιος (Πατρώνυμο: Ευάγγελος)
Ημερομηνία
2016
Ίδρυμα
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (ΕΜΠ). Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. Τομέας Ηλεκτρικής Ισχύος. Εργαστήριο Ηλεκτρικών Μηχανών και Ηλεκτρονικών Ισχύος
Εξεταστική επιτροπή
Παπαθανασίου Σταύρος
Μανιάς Στέφανος
Κλαδάς Αντώνιος
Ξανθάκης Ιωάννης
Σταθόπουλος Ιωάννης
Κορρές Γεώργιος
Τατάκης Εμμανουήλ
Επιστημονικό πεδίο
Επιστήμες Μηχανικού και ΤεχνολογίαΕπιστήμη Ηλεκτρολόγου Μηχανικού, Ηλεκτρονικού Μηχανικού, Μηχανικού Η/Υ
Λέξεις-κλειδιά
Ανάστροφη αποκατάσταση; Αντιστροφέας; Αξιοπιστία; Βραχυκύκλωμα; Δυνατότητα αδιάλειπτης λειτουργίας; Καρβίδιο του πυριτίου; Κύκλωμα οδήγησης; Μηχανισμός διάσπασης; Κώδικες δικτύου; Φωτοβολταϊκά; SiC JFET; SiC MOSFET
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
xi, 200σ., εικ., πιν., σχημ., γραφ., ευρ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στους συνδεδεμένους στο σύστημα χρήστες οι οποίοι έχουν αλληλεπιδράσει με τη διδακτορική διατριβή. Ως επί το πλείστον, αφορά τις μεταφορτώσεις.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)