Διεπιφάνειες και ατέλειες προηγμένων ΙΙΙ-Ν ετεροδομών-νανοδομών χωρίς πεδία πόλωσης

Περίληψη

Η ομάδα των ΙΙΙ-Ν σύνθετων ημιαγωγών μελετάται έντονα για την χρήση τους σε διάφορες οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές λόγω του ευρύ ενεργειακού χάσματος που καλύπτει όλο το οπτικό φάσμα. Η συνήθης διεύθυνση ανάπτυξης είναι η πολική, αλλά κατά αυτήν την διεύθυνση παρατηρείται έντονη επίδραση πιεζοηλεκτρικού φαινομένου. Για να ξεπεραστεί αυτό το εμπόδιο μελετώνται διαφορετικές διευθύνσεις ανάπτυξης όπως οι μη πολικές και οι ημιπολικές. Αρχικά, μελετήθηκαν οι ιδιότητες μη πολικού GaN. Οι δομικές ανισοτροπικές ιδιότητες αυτών των υμενίων μελετήθηκαν και μία εκτενής ανάλυση με συνδυασμό πολλών πειραματικών τεχνικών παρουσιάζεται σε αυτήν την διατριβή. Ακόμα, μελετήθηκαν και οι διεπιφανειακές ιδιότητες του μη πολικού InN. Συγκεκριμένα μελετήθηκαν η επίδραση της νιτρίδωσης, η επίδραση του στρώματος πυρηνοποίησης GaN και ο ρόλος της διεπιφάνειας GaN/InN. Σχετικά με τις ημιπολικές δομές, μελετήθηκε το ημιπολικό AlN και κυρίως η επίδραση της νιτρίδωσης του υποστρώματος στην εισαγωγή παρασιτικών νανοκρ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

The III-Nitride semiconductor compounds have been under intense investigation for various optoelectronic applications due to their wide band gap range that can cover the whole optical spectrum. The usual growth orientation for the III-Nitrides is the polar one but along this orientation strong polarization effects are present. To overcome this problem, nonpolar and semipolar orientations are investigated. First, the interfacial and epilayer properties of nonpolar GaN were studied. The structural anisotropic properties of nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire are studied and a thorough analysis is presented using multiple experimental techniques. Also, the interfacial and epilayer properties of nonpolar InN are presented. The effect of substrate nitridation, the role of the GaN nucleation layer and the GaN/InN interface are studied. Regarding the semipolar III-Nitrides the AlN is investigated. The role of the sapphire nitridation on the introduction of parasitic misoriented nan ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/36979
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/36979
ND
36979
Εναλλακτικός τίτλος
Interfaces and defects of advanced III-N heterostructures-nanostructures without polarization fields
Συγγραφέας
Λοτσάρη, Αντιόπη του Ανδρέας
Ημερομηνία
2013
Ίδρυμα
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης
Εξεταστική επιτροπή
Δημητρακόπουλος Γεώργιος
Κεχαγιάς Θωμάς
Γεωργακίλας Αλέξανδρος
Κομνηνού Φιλομήλα
Καρακώστας Θεόδωρος
Κιοσέογλου Ιωσήφ
Κατσικίνη Μαρία
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές ΕπιστήμεςΦυσική
Λέξεις-κλειδιά
Ηλεκτρονική μικροσκοπία διέλευσης; Νιτρίδια; Κβαντικές τελεί; Νανοσύρματα; Δομικές ατέλειες; Μη πολικά υμένια; Ημιπολικά υμένια; Διεπιφάνειες
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
220 σ., εικ., πιν., σχημ., γραφ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)