Δομικές ιδιότητες και φαινόμενα σε σύνθετους ημιαγωγούς ΙΙΙ-Ν χαμηλών διαστάσεων

Περίληψη

Η παρούσα διατριβή αφορά τη διερεύνηση των δομικών ιδιοτήτων και φαινομένων στους σύνθετους ημιαγωγούς νιτριδίων χαμηλών διαστάσεων, με τεχνικές Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας Διέλευσης, όπου βρίσκουν εφαρμογές σε προηγμένα συστήματα οπτοηλεκτρονικής και μικροηλεκτρονικής. Η ανάπτυξη τους όμως σε υποστρώματα με μεγάλη πλεγματική ασυμφωνία έχει ως αποτέλεσμα τον διαχωρισμό των φορέων και την εισαγωγή μεγάλου πλήθους δομικών ατελειών μειώνοντας έτσι την εσωτερική κβαντική απόδοση τους. Η βελτιστοποίηση της απόδοσης των διατάξεων μπορεί να επιτευχθεί με συστήματα χαμηλών διαστάσεων όπως κβαντικών φρεάτων, νανοσυρμάτων και κβαντικών τελειών. Αρχικά μελετήθηκαν τρόποι βελτιστοποίησης των συνθηκών ανάπτυξης λεπτών υμενίων Νιτριδίου του Ινδίου του σε υποστρώματα πυριτίου, ώστε οι αναπτυσσόμενες δομές να περιέχουν χαμηλή πυκνότητα ατελειών δομής. Στη συνέχεια μελετήθηκαν μηχανισμοί πυρηνοποίησης Νιτριδίου του Γαλλίου σε υποστρώματα σαπφείρου και πυριτίου για ανάπτυξη νανοσυρμάτων με βέλτιστα δομικά ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

This thesis concerns the study of the structural properties and phenomena in low-dimensional III-Nitride compound semiconductors by means of Transmission electron microscopy (TEM). TEM techniques along with analytical and quantitative methods permitted us to accomplish a detailed study of various III-Nitride thin films and nanostructures up to the atomic scale, aiming at the correlation of their structural properties with their optoelectronic response and ultimately, the optimization of their growth mechanisms. III-Nitride compound semiconductors are generally grown on foreign substrates with large lattice mismatch between the substrate and the overgrown layer. The latter introduces various defects in the layer either linear (dislocations) or planar (stacking faults) affecting their optoelectronic properties. The use of low-dimensional semiconductor systems such as nanowires (NWs), quantum wells (QWs) and quantum dots (QDs) instead of thick epilayers, minimizes the influence of crystal ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/35396
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/35396
ND
35396
Εναλλακτικός τίτλος
Structural properties and phenomena in low-dimensional III-N compound semiconductors
Συγγραφέας
Κουκουλά, Τριανταφυλλιά του Ευάγγελος
Ημερομηνία
2015
Ίδρυμα
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης
Εξεταστική επιτροπή
Κεχαγιάς Θωμάς
Κομνηνού Φιλομήλα
Δημητρακόπουλος Γεώργιος
Καρακώστας Θεόδωρος
Φράγκης Νικόλαος
Γεωργακίλας Αλέξανδρος
Κιοσέογλου Ιωσήφ
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές ΕπιστήμεςΦυσική
Λέξεις-κλειδιά
Νιτρίδια; Ηλεκτρονική μικροσκοπία διέλευσης; Νανοδομές
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
196 σ., εικ., πιν., σχημ., γραφ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)