Η επίδραση της δομής στην υπερταχεία ηλεκτρονιακή δυναμική σε μη-στοιχειομετρικούς III - V ημιαγωγούς και μεταλλικές νανο-συνθέσεις

Περίληψη

Η τεχνική της υπερταχείας φασματοσκοπίας άντλησης–ανίχνευσης χρησιμοποιήθηκε ώστε να μελετηθεί η ηλεκτρονιακή συμπεριφορά παγίδευσης σε μη-στοιχειομετρικό GaAs και AlGaAs και για να μελετηθεί η επίδραση της μείωσης του μεγέθους νανοσωματιδίων Au στην κινητική κατάσταση του ηλεκτρονιακού πληθυσμού τους. Η δυναμική κατάσταση των ηλεκτρονίων της ζώνης αγωγιμότητας σε Χαμηλής-Θερμοκρασίας-Ανάπτυξης GaAs και AlGaAs μελετάται μέσω διέγερσης ηλεκτρονίων στην περιοχή του πυθμένα της ζώνης αγωγιμότητας και ανίχνευσης των επαγώμενων μεταβατικών αλλαγών στην απορρόφηση από την κορυφή της ζώνης σθένους προς τον πυθμένα της ζώνης αγωγιμότητας του ημιαγωγού. Οι μη-στοιχειομετρικοί ημιαγωγοί που εξετάζουμε περιέχουν συσσωματώματα As. Η συμπεριφορά παγίδευσης των ηλεκτρονίων βρίσκεται να εξαρτάται από τη μέση ακτίνα α και τη μέση απόσταση R των συσσωματωμάτων As. Η αλληλοσυσχέτιση αυτών των δύο παραμέτρων για πρώτη φορά προκύπτει πειραματικά να καθορίζεται από το νόμο τ ∝ R3/α, οποίος μπορεί να προβ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

Ultrafast pump and probe spectroscopy has been utilized in order to study the electronic trapping behavior in nonstoichiometric GaAs and AlGaAs and to study the effect of the size reduction of nanometer sized Au particles on the kinetics of the confined electron population. The dynamics of conduction band electrons of Low-Temperature-Grown GaAs and AlGaAs is studied by exciting electrons in the vicinity of the conduction band bottom and by probing the induced transient changes in the absorption from the top of the valence to the bottom of the conduction band of the semiconductor. The nonstoichiometric semiconductors, that we examine, contain As precipitates. The electron trapping behavior is found to depend on both the average As precipitate radius α and spacing R. The interplay of these parameters is for the first time experimentally determined to be governed by the law τ ∝ R3/α which can be predicted theoretically by assuming diffusion mediated trapping of electrons on the surfaces o ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/13340
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/13340
ND
13340
Εναλλακτικός τίτλος
The influence of structure on ultrafast electron dynamics in non-stoichiometric III - V semiconductors and metallic nano-composites
Συγγραφέας
Λουκάκος, Παναγιώτης του Αριστοτέλης
Ημερομηνία
2002
Ίδρυμα
Πανεπιστήμιο Κρήτης. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Βιολογίας
Εξεταστική επιτροπή
Φωτάκης Κωνσταντίνος
Περάκης Ηλίας
Τζανετάκης Παναγιώτης
Οικονόμου Ελευθέριος
Παπανικολάου Νικόλαος
Χαραλαμπίδης Δημήτριος
Χατζόπουλος Ζαχαρίας
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές Επιστήμες
Φυσική
Λέξεις-κλειδιά
Ημιαγωγοί; Νανοσωματίδια; Φασματοσκοπία; Ηλεκτρόνια; Αντλία
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
201 σελ., εικ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)