ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΟΞΕΙΔΩΣΗΣ ΤΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ ΚΑΙ ΤΩΝ ΠΡΟΚΑΛΟΥΜΕΝΩΝ ΑΤΕΛΕΙΩΝ ΣΕ ΔΟΜΕΣ ΠΥΡΙΤΙΟΥ ΠΑΝΩ ΣΕ ΜΟΝΩΤΙΚΟ

Abstract

ΤΟ ΑΝΤΙΚΕΙΜΕΝΟ ΤΗΣ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΥΤΗΣ ΕΙΝΑΙ Η ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΟΞΕΙΔΩΣΗΣ ΤΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ ΚΑΙΤΩΝ ΕΝΔΟΠΛΕΓΜΑΤΙΚΩΝ ΑΤΟΜΩΝ ΠΟΥ ΓΕΝΝΙΟΥΝΤΑΙ ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΟΞΕΙΔΩΣΗ, ΚΑΘΩΣ ΚΑΙ ΟΙ ΜΗΧΑΝΙΣΜΟΙ ΠΟΥ ΚΑΘΟΡΙΖΟΥΝ ΤΗΝ ΚΑΤΑΝΟΜΗ ΤΩΝ ΕΝΔΟΠΛΕΓΜΑΤΙΚΩΝ ΑΤΟΜΩΝ ΣΕ ΜΙΑ ΚΑΙ ΔΥΟ ΔΙΑΣΤΑΣΕΙΣ, ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΟΞΕΙΔΩΣΗ ΤΩΝ ΔΟΜΩΝ ΠΥΡΙΤΙΟΥ ΠΑΝΩ ΣΕ ΜΟΝΩΤΙΚΟ. ΑΝΑΠΤΥΣΣΟΝΤΑΙ ΠΡΩΤΥΠΑ ΠΕΙΡΑΜΑΤΑ, ΓΙΑ ΤΗΝ ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΚΙΝΗΤΙΚΗΣ ΤΩΝ ΕΝΔΟΠΛΕΓΜΑΤΙΚΩΝ ΑΤΟΜΩΝ ΚΑΙ ΤΗΝ ΑΛΛΗΛΕΠΙΔΡΑΣΗ ΤΟΥΣ ΣΤΗ ΔΙΕΠΙΦΑΝΕΙΑ ΤΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ ΜΕ ΔΙΑΦΟΡΑ ΥΜΕΝΙΑ ΣΤΗ ΠΕΡΙΟΧΗ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΩΝ ΠΟΥ ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΖΟΝΤΑΙ ΤΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ. ΕΠΙΣΗΣ ΕΞΕΤΑΖΟΝΤΑΙ ΟΙ ΕΠΙΠΤΩΣΕΙΣ ΤΗΣ 2 - ΔΙΑΣΤΑΤΗΣ ΚΑΤΑΝΟΜΗΣ ΤΩΝ ΣΗΜΕΙΑΚΩΝ ΑΤΕΛΕΙΩΝ ΣΤΗΝ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΤΩΝ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ.

THE SUBJECT OF THIS WORK IS THE STUDY OF THE OXIDATION OF SILICON AND THE SILICON INTERSTITIAL THAT ARE GENERATED DURING OXIDATION AS WELL AS THE MECHANISMSTHAT DETERMINE THE DISTRIBUTION OF SILICON INTERSTITIAL IN 1D AND 2D DURING THE OXIDATION OF SILICON ON INSULATOR STRUCTURES. NEW EXPERIMENTS ARE DEVELOPED FOR THE STUDY OF SILICON INTERSTITIAL KINETICS AND THEIR INTERACTION AT THE INTERFACE OF SILICON WITH VARIOUS LAYERS, IN THE TEMPERATURE RANGE THAT IS USED FOR THE FABRICATION OF INTEGRATED CIRCUITS. WE ALSO INVESTIGATE THE INFLUENCE OF 2 - DIMENSIONAL DISTRIBUTION OF POINT DEFECTS ON THE OPERATION OF ELECTRICAL DEVICES.