Ετεροεπίταξη InN πάνω σε υποστρώματα πυριτίου (111) και σαπφείρου επιπέδου-R

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

Among the group-III nitride (III-N) semiconductors, InN has been the leaststudied and also the most complex. However, InN is a promising material for sub-THz electronic devices due to the very high values of its electron low-field mobility(14,000 cm2/V.s) and maximum drift velocity (5.2 x 107 cm/s). InN and InN-richalloys are also very interesting for optoelectronic devices in the IR wavelength regionof telecommunications, as well as tandem solar cell applications, due to its 0.65 eVbandgap. This PhD dissertation is based on the study of plasma assisted molecularbeam epitaxy (PAMBE) of InN on Si (111) and r-plane (1102) sapphire substrates.Epitaxial growth on silicon is interesting for low cost production and/or monolithicintegration with Si integrated circuits (ICs). Growth of a-plane InN on r-plane (1102)sapphire substrates can be used for realizing quantum well heterostructures, free frompolarization induced electric fields. Also, it has been theoretically predicted thatnitrogen sta ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/30141
ND
30141
Εναλλακτικός τίτλος
Heteroepitaxy of InN on silicon (111) and r-plane sapphire substrates
Συγγραφέας
Ajagunna, Adebowale Olufunso of Adebamibo Ajagunna
Ημερομηνία
2011
Ίδρυμα
Πανεπιστήμιο Κρήτης. Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής
Εξεταστική επιτροπή
Γεωργακίλας Αλέξανδρος
Φλυτζάνης Νικόλαος
Ζεκεντές Κωνσταντίνος
Τζανετάκης Παναγιώτης
Χατζόπουλος Ζαχαρίας
Κεχαγιάς Θωμάς
Ηλιόπουλος Ελευθέριος
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές Επιστήμες
Φυσική
Λέξεις-κλειδιά
Επίταξη με μοριακές δέσμες; Ημιαγωγοί III-V; Νιτρίδιο ινδίου (InN); Περιθλασιμετρία ακτίνων - Χ; Υπόστρωμα πυριτίου; Υπόστρωμα σαπφείρου; Επιταξιακή ανάπτυξη
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
xiv, 246 σ., εικ., πιν., σχημ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.