Πειραματική και θεωρητική μελέτη τρανζίστορ εγκαρσίου πεδίου με βάση νανονήματα καρβιδίου του πυριτίου

Περίληψη

Η ανάπτυξη και ο χαρακτηρισµός νανοδοµών µιας διάστασης (1-Δ) όπως νανονήµατα, νανοκολόνες ή νανοσωλήνες ηµιαγωγών υψηλού χάσµατος έχουν πρόσφατα εκτενώς µελετηθεί εξαιτίας των πιθανών εφαρµογών τους στη νανοηλεκτρονική, σε αισθητήρες, µπαταρίες και οθόνες εκποµπής πεδίου. Η χρήση νανονηµάτων επιτρέπει οµοκεντρική γεωµετρία διηλεκτρικού πύλης και καναλιού του τρανζίστορ η οποία είναι ιδανική για την περαιτέρω σµίκρυνση των διαστάσεων της διάταξης και καλύτερο ηλεκτροστατικό έλεγχο των φορέων. Ανάµεσα στους ηµιαγωγούς υψηλού χάσµατος, το καρβίδιο του πυριτίου (3C-SiC) έχει µεγάλο συντελεστή θερµικής αγωγιµότητας, µεγάλη τιµή ηλεκτρικού πεδίου κατάρρευσης και µέτρου ελαστικότητας, µεγάλη ταχύτητα ολίσθησης ηλεκτρονίων καθώς και εξαιρετική χηµική και φυσική σταθερότητα. Εποµένως, νανονήµατα 3C-SiC, κατασκευασµένα ακολουθώντας τεχνικές είτε από «πάνω προς τα κάτω» ή από «κάτω προς τα πάνω», αναµένεται να δηµιουργήσουν µια νέα οικογένεια ηλεκτρικών διατάξεων οι οποίες θα χρησιµοποιηθούν ως ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

Recently, the growth and characterization of one-dimensional (1-D) nanostructures (nanowires, nanorods, nanotubes) of wide-band-gap semiconductors have been extensively studied due to their potential for applications in nanoelectronics, sensors, batteries, and field emission displays (FEDs). The nanowire (NW) approach allows for a coaxial gate-dielectric channel geometry that is ideal for further downscaling and electrostatic control. Among the wide band-gap materials, 3C-SiC exhibits high values of thermal conductivity, breakdown electric field, electron drift velocity, Young’s modulus and hardness as well as excellent chemical and physical stability. Therefore, 3C-SiC semiconductor nanowires, grown either with top-down or bottom-up techniques, are expected to generate a new family of high-performance nanowire devices as an add-on to mainstream Si technology. This thesis is divided into three main parts. In the first chapter, an introduction to nanowire growth, properties and devices ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

Récemment, la croissance et la caractérisation de nanostructures à une dimension (nanofils, nanotiges, nanotubes) de semiconducteurs à large bande interdite sont largement étudiées à cause de leurs applications potentielles en nanoélectronique, capteurs, batteries et cathodes à émission de champ. L’approche nanofil autorise une géométrie coaxiale de canal/diélectrique de grille, ce qui est idéal pour la réduction des dimensions et le contrôle électrostatique. Parmi les matériaux à large bande interdite, le SiC-3C présente de fortes valeurs de conductivité thermique, champ de claquage, vitesse de dérive des électrons, module de Young et dureté mais également une excellente stabilité chimique et physique. Par conséquent, on s’attend à ce que les nanofils à une dimension en SiC-3C, réalisés par la technique “top-down” ou “bottom-up”, génèrent une nouvelle famille de dispositifs haute performance offrant des avantages supplémentaires par rapport à la technologie «classique» Si. Ce manuscri ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/22078
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/22078
ND
22078
Εναλλακτικός τίτλος
Experimental and theoretical study of 3C-Silicon Carbide nanowire field effect transistors
Συγγραφέας
Ρογδάκης, Κωνσταντίνος του Ιωάννης
Ημερομηνία
2010
Ίδρυμα
Grenoble Institute of Technology. IMEP-LAHC
Εξεταστική επιτροπή
Ζεκεντές Κωνσταντίνος
Λέξεις-κλειδιά
Κυβικό καρβίδιο του πυριτίου; Νανονήματα; Τρανζίστορ εγκάρσιου πεδίου; Προσομοίωση διατάξεων; Συναρτήσεις Green εκτός ισορροπίας
Χώρα
Γαλλία
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
143 σ., εικ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)