Νέα υλικά για το διηλεκτρικό πύλης σε τρανζίστορ προηγμένης τεχνολογίας CMOS

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/16841
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/16841
ND
16841
Εναλλακτικός τίτλος
New materials for the gate dielectric of advanced technology CMOS transistors
Συγγραφέας
Μαύρου, Γεωργία (Πατρώνυμο: Δημήτριος)
Ημερομηνία
2006
Ίδρυμα
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (ΕΜΠ). Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών
Εξεταστική επιτροπή
Τσουκαλάς Δημήτριος
Δημούας Αθανάσιος
Ράπτης Ιωάννης
Πίσσης Πολύκαρπος
Λιαροκάπης Ευθύμιος
Θαναηλάκης Αντώνιος
Ευαγγέλου Βαγγέλης
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές Επιστήμες
Φυσική
Επιστήμες Μηχανικού και Τεχνολογία
Μηχανική Υλικών
Λέξεις-κλειδιά
Επιτάξια; Υλικά υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς; Ευκινησία
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
151 σ., εικ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στους συνδεδεμένους στο σύστημα χρήστες οι οποίοι έχουν αλληλεπιδράσει με τη διδακτορική διατριβή. Ως επί το πλείστον, αφορά τις μεταφορτώσεις.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.