Πλοήγηση στο ΕΑΔΔ ανά "Συγγραφέας" : Τσιαούσης, Ιωάννης Δ.
Πηγαίνετε σε ένα σημείο του ευρετηρίου:
Ή πληκτρολογήστε ένα έτος:
Ταξινόμηση ανά:
Σε σειρά:
Αποτελέσματα/σελίδα:
ΗμερομηνίαΤίτλοςΣυγγραφέαςΚείμενο Διατριβής
2006Δομικός χαρακτηρισμός λεπτών υμενίων υλικών προηγμένης τεχνολογίας με τεχνικές μικροσκοπίας: Pd σε υπόστρωμα 6H-SiC (0001), BN σε Si(100) και CeO2 σε Si (100)Τσιαούσης, Ιωάννης Δ.